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Transistor Bipolar de Portão Isolado Modulo de Potência IGBT Dispositivo semicondutor para inversor

Transistor Bipolar de Portão Isolado Modulo de Potência IGBT Dispositivo semicondutor para inversor

MOQ: 1 PC
Preço: ¥170 ~ 310
Embalagem padrão: Caixa de cartão
Período de entrega: 3 dias
Método de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de abastecimento: 500-10000 por mês
Informações detalhadas
Marca
ZFeng
Certificação
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Corrente:
15 ~ 200 A
Destacar:

Modulo de potência IGPT de inversor

,

módulo de potência igbt semicondutor

,

Módulo IGPT de inversor isolado

Descrição do produto
Módulo IGBT ZFeng

Módulo IGBT (Módulo Transistor Bipolar de Porta Isolada) é um módulo de dispositivo semicondutor de potência que integra múltiplos chips IGBT, diodos de roda livre (FWDs) e circuitos de acionamento/proteção associados. É amplamente aplicado em sistemas de conversão e controle de eletrônica de potência.

1. Componentes Essenciais e Princípios de Operação
  • Chips IGBT: O núcleo do módulo, combinando a alta impedância de entrada dos MOSFETs e a baixa queda de tensão no estado ligado dos transistores bipolares, permitindo comutação de alta velocidade e baixas perdas.
  • Diodos de Roda Livre (FWDs): Conectados em antiparalelo com os IGBTs para liberar energia armazenada em cargas indutivas, evitando picos de tensão que danificam os dispositivos.
  • Circuitos de Acionamento e Proteção: Integrados com funções como isolamento de sinal, proteção contra sobrecorrente/sobretensão e monitoramento de temperatura para garantir a operação estável do módulo.
  • Tecnologia de Embalagem: Utiliza substratos cerâmicos, placas de base de cobre, etc., otimizando o desempenho térmico (resistência térmica tão baixa quanto 0,1-0,2 K/W) e aprimorando o isolamento elétrico.
2. Vantagens Técnicas
  • Alta Densidade de Potência: O design modular aumenta significativamente a capacidade de manuseio de potência por unidade de volume. Por exemplo, os módulos PrimePACK™ da Infineon permitem centenas de quilowatts a megawatts de saída.
  • Alta Confiabilidade: Através do design redundante, autodiagnóstico de falhas e tecnologias de gerenciamento térmico, os módulos atingem um tempo médio entre falhas (MTBF) superior a 100.000 horas em aplicações industriais como acionamentos de frequência variável.
  • Facilidade de Uso: Circuitos de acionamento integrados simplificam o projeto do sistema, permitindo que os usuários implementem rapidamente aplicações, fornecendo apenas sinais de controle e energia.
3. Cenários de Aplicação Típicos
  • Acionamentos Industriais: Usado no controle de velocidade do motor, regulação de ventilador/bomba.
  • Geração de Energia Renovável: Em inversores fotovoltaicos, os módulos IGBT convertem CC para CA para integração à rede.
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Transistor Bipolar de Portão Isolado Modulo de Potência IGBT Dispositivo semicondutor para inversor
MOQ: 1 PC
Preço: ¥170 ~ 310
Embalagem padrão: Caixa de cartão
Período de entrega: 3 dias
Método de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de abastecimento: 500-10000 por mês
Informações detalhadas
Marca
ZFeng
Certificação
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Corrente:
15 ~ 200 A
Quantidade de ordem mínima:
1 PC
Preço:
¥170 ~ 310
Detalhes da embalagem:
Caixa de cartão
Tempo de entrega:
3 dias
Termos de pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:
500-10000 por mês
Destacar

Modulo de potência IGPT de inversor

,

módulo de potência igbt semicondutor

,

Módulo IGPT de inversor isolado

Descrição do produto
Módulo IGBT ZFeng

Módulo IGBT (Módulo Transistor Bipolar de Porta Isolada) é um módulo de dispositivo semicondutor de potência que integra múltiplos chips IGBT, diodos de roda livre (FWDs) e circuitos de acionamento/proteção associados. É amplamente aplicado em sistemas de conversão e controle de eletrônica de potência.

1. Componentes Essenciais e Princípios de Operação
  • Chips IGBT: O núcleo do módulo, combinando a alta impedância de entrada dos MOSFETs e a baixa queda de tensão no estado ligado dos transistores bipolares, permitindo comutação de alta velocidade e baixas perdas.
  • Diodos de Roda Livre (FWDs): Conectados em antiparalelo com os IGBTs para liberar energia armazenada em cargas indutivas, evitando picos de tensão que danificam os dispositivos.
  • Circuitos de Acionamento e Proteção: Integrados com funções como isolamento de sinal, proteção contra sobrecorrente/sobretensão e monitoramento de temperatura para garantir a operação estável do módulo.
  • Tecnologia de Embalagem: Utiliza substratos cerâmicos, placas de base de cobre, etc., otimizando o desempenho térmico (resistência térmica tão baixa quanto 0,1-0,2 K/W) e aprimorando o isolamento elétrico.
2. Vantagens Técnicas
  • Alta Densidade de Potência: O design modular aumenta significativamente a capacidade de manuseio de potência por unidade de volume. Por exemplo, os módulos PrimePACK™ da Infineon permitem centenas de quilowatts a megawatts de saída.
  • Alta Confiabilidade: Através do design redundante, autodiagnóstico de falhas e tecnologias de gerenciamento térmico, os módulos atingem um tempo médio entre falhas (MTBF) superior a 100.000 horas em aplicações industriais como acionamentos de frequência variável.
  • Facilidade de Uso: Circuitos de acionamento integrados simplificam o projeto do sistema, permitindo que os usuários implementem rapidamente aplicações, fornecendo apenas sinais de controle e energia.
3. Cenários de Aplicação Típicos
  • Acionamentos Industriais: Usado no controle de velocidade do motor, regulação de ventilador/bomba.
  • Geração de Energia Renovável: Em inversores fotovoltaicos, os módulos IGBT convertem CC para CA para integração à rede.