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Transistor Bipolar de Portão Isolado Modulo de Potência IGBT Dispositivo semicondutor para inversor

Transistor Bipolar de Portão Isolado Modulo de Potência IGBT Dispositivo semicondutor para inversor

MOQ: 1 PC
preço: ¥170 ~ 310
Embalagem padrão: Caixa de cartão
Período de entrega: 3 dias
Método de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de abastecimento: 500-10000 por mês
Informações detalhadas
Marca
ZFeng
Certificação
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Corrente:
15 ~ 200 A
Destacar:

Modulo de potência IGPT de inversor

,

módulo de potência igbt semicondutor

,

Módulo IGPT de inversor isolado

Descrição do produto

Modulo IGBT ZFeng

 

Módulo IGBT (módulo de transistor bipolar de porta isolada)É um módulo de dispositivo de semicondutor de potência que integra vários chips IGBT, diodos de rotação livre (FWDs) e circuitos de acionamento/proteção associados.É amplamente aplicado em sistemas de conversão e controle de electrónica de potência.

 

1Componentes essenciais e princípios de funcionamento

  • Chips IGBT: O núcleo do módulo, combinando a alta impedância de entrada dos MOSFETs e a baixa queda de tensão em estado de funcionamento dos transistores bipolares, permitindo comutação de alta velocidade e baixas perdas.
  • Diodos de rotação livre (FWD): Conectado em anti-paralelo com IGBTs para liberar energia armazenada em cargas indutivas, evitando picos de tensão de danificar dispositivos.
  • Circuitos de accionamento e protecção: Integrado com funções como isolamento de sinal, proteção contra sobrecorrência/supervoltagem e monitorização da temperatura para garantir o funcionamento estável do módulo.
  • Tecnologia da embalagem: Utiliza substratos cerâmicos, placas de cobre, etc., otimizando o desempenho térmico (resistência térmica tão baixa quanto 0,1 K/W) e melhorando o isolamento elétrico.

2- Vantagens técnicas

  • Alta densidade de potência: O projeto modular aumenta significativamente a capacidade de manuseio de energia por unidade de volume.
  • Alta confiabilidade: Através do projeto redundante, do autodiagnóstico de falhas e das tecnologias de gestão térmica, os módulos conseguem um tempo médio entre falhas (MTBF) superior a 100,000 horas em aplicações industriais, como as unidades de frequência variável.
  • Fácil de usar: Os circuitos de accionamento integrados simplificam a concepção do sistema, permitindo aos utilizadores implementar rapidamente aplicações, fornecendo apenas sinais de controlo e energia.

3. Cenários de aplicação típicos

  • Acionamentos industriais: Utilizado no controlo da velocidade do motor, regulação do ventilador/bomba.
  • Geração de energia renovável: Nos inversores fotovoltaicos, os módulos IGBT convertem corrente contínua em corrente alterna para integração na rede.
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Transistor Bipolar de Portão Isolado Modulo de Potência IGBT Dispositivo semicondutor para inversor
MOQ: 1 PC
preço: ¥170 ~ 310
Embalagem padrão: Caixa de cartão
Período de entrega: 3 dias
Método de pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade de abastecimento: 500-10000 por mês
Informações detalhadas
Marca
ZFeng
Certificação
CE、CB、CCC、ISO9001、ISO14001、ISO45001、EN61439、EN61000
Corrente:
15 ~ 200 A
Quantidade de ordem mínima:
1 PC
Preço:
¥170 ~ 310
Detalhes da embalagem:
Caixa de cartão
Tempo de entrega:
3 dias
Termos de pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:
500-10000 por mês
Destacar

Modulo de potência IGPT de inversor

,

módulo de potência igbt semicondutor

,

Módulo IGPT de inversor isolado

Descrição do produto

Modulo IGBT ZFeng

 

Módulo IGBT (módulo de transistor bipolar de porta isolada)É um módulo de dispositivo de semicondutor de potência que integra vários chips IGBT, diodos de rotação livre (FWDs) e circuitos de acionamento/proteção associados.É amplamente aplicado em sistemas de conversão e controle de electrónica de potência.

 

1Componentes essenciais e princípios de funcionamento

  • Chips IGBT: O núcleo do módulo, combinando a alta impedância de entrada dos MOSFETs e a baixa queda de tensão em estado de funcionamento dos transistores bipolares, permitindo comutação de alta velocidade e baixas perdas.
  • Diodos de rotação livre (FWD): Conectado em anti-paralelo com IGBTs para liberar energia armazenada em cargas indutivas, evitando picos de tensão de danificar dispositivos.
  • Circuitos de accionamento e protecção: Integrado com funções como isolamento de sinal, proteção contra sobrecorrência/supervoltagem e monitorização da temperatura para garantir o funcionamento estável do módulo.
  • Tecnologia da embalagem: Utiliza substratos cerâmicos, placas de cobre, etc., otimizando o desempenho térmico (resistência térmica tão baixa quanto 0,1 K/W) e melhorando o isolamento elétrico.

2- Vantagens técnicas

  • Alta densidade de potência: O projeto modular aumenta significativamente a capacidade de manuseio de energia por unidade de volume.
  • Alta confiabilidade: Através do projeto redundante, do autodiagnóstico de falhas e das tecnologias de gestão térmica, os módulos conseguem um tempo médio entre falhas (MTBF) superior a 100,000 horas em aplicações industriais, como as unidades de frequência variável.
  • Fácil de usar: Os circuitos de accionamento integrados simplificam a concepção do sistema, permitindo aos utilizadores implementar rapidamente aplicações, fornecendo apenas sinais de controlo e energia.

3. Cenários de aplicação típicos

  • Acionamentos industriais: Utilizado no controlo da velocidade do motor, regulação do ventilador/bomba.
  • Geração de energia renovável: Nos inversores fotovoltaicos, os módulos IGBT convertem corrente contínua em corrente alterna para integração na rede.